底栅控制型多晶硅薄膜晶体管的制造方法

摘要

一种薄膜晶体管的形成方法，包括：在基板上形成栅极；在栅极上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成非晶硅层；使对应栅极的有源区中的非晶硅层结晶，以形成多晶硅层；蚀刻具有该已形成的多晶硅层的非晶硅层，使非晶硅的蚀刻速度大于多晶硅的蚀刻速度，以在有源区中形成多晶硅半导体层；和在半导体层上形成源极和漏极。