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公开/公告号CN107076763B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-06-19
原文格式PDF
申请/专利权人 国际商业机器公司;
申请/专利号CN201580060722.9
发明设计人 J·T·史密斯;R·L·布鲁斯;Y·A·阿斯迪尔;王超;B·H·万施;
申请日2015-11-17
分类号
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;
代理人申发振
地址 美国纽约
入库时间 2022-08-23 10:12:51
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-06-19
授权
2017-09-12
实质审查的生效 IPC(主分类):G01N33/68 申请日:20151117
实质审查的生效
2017-08-18
公开
机译: 具有均匀高纵横比纳米间隙的柱阵列结构
机译:制备具有高纵横比的单晶硅柱的大型阵列,这些柱具有隔离的垂直排列的多壁碳纳米管尖端
机译:通过具有伸长现象的纳米压印制造的高纵横比纳米柱结构
机译:具有高纵横比和超高柱密度的主动周期磁性纳米结构
机译:超高速光触发场发射阴极,使用大规模,均匀的纳米锐化高纵横比硅结构阵列
机译:高纵横比微柱阵列中的毛细作用力。
机译:晶圆级以下50nm分辨率的周期性高纵横比Si纳米结构阵列的多功能图案生成
机译:超快光触发的场发射阴极,使用大规模,均匀的纳米锐化高纵横比硅结构阵列
机译:用于纳米电子和纳米光子应用的高纵横比si纳米柱阵列局部受限沉积si纳米晶的研究