公开/公告号CN103456369B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-06-01
原文格式PDF
申请/专利权人 爱思开海力士有限公司;
申请/专利号CN201210390230.4
发明设计人 刘正宅;
申请日2012-10-15
分类号G11C29/44(20060101);
代理机构11363 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人周晓雨;郭放
地址 韩国京畿道
入库时间 2022-08-23 10:12:24
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-06-01
授权
授权
2015-06-03
实质审查的生效 IPC(主分类):G11C29/44 申请日:20121015
实质审查的生效
2013-12-18
公开
公开
机译: 修复控制电路和包括该修复控制电路的半导体存储装置
机译: 修复控制电路和包括该修复控制电路的半导体存储装置
机译: 反熔丝修复控制电路和包括该反熔丝修复控制电路的半导体器件