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非易失性锁存电路和逻辑电路,以及使用其的半导体器件

摘要

非易失性锁存电路和逻辑电路以及使用其的半导体器件。非易失性锁存电路包括:具有环形结构的锁存部分,其中第一元件的输出电连接至第二元件的输入,且第二元件的输出电连接至第一元件的输入;以及用于保持该锁存部分的数据的数据保持部分。在数据保持部分中,使用用氧化物半导体作为用于形成沟道形成区的半导体材料的晶体管作为开关元件。此外,包括了电连接至晶体管的源电极或漏电极的反相器。使用该晶体管,被保持在锁存部分中的数据可被写入反相器的栅极电容器或被独立提供的电容器。

著录项

  • 公开/公告号CN104332177B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-05-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 株式会社半导体能源研究所;

    申请/专利号CN201410541227.7

  • 发明设计人 加藤清;小山润;

    申请日2010-10-29

  • 分类号

  • 代理机构上海专利商标事务所有限公司;

  • 代理人李玲

  • 地址 日本神奈川县

  • 入库时间 2022-08-23 10:11:13

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-05-08

    授权

    授权

  • 2015-03-11

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C14/00 申请日:20101029

    实质审查的生效

  • 2015-02-04

    公开

    公开

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