TFT阵列基板上TEG测试键的制作方法

摘要

本发明提供一种TFT阵列基板上TEG测试键的制作方法，在基板上形成数个位于显示区的第一有源层、及数个位于外围区用于形成TEG测试键的第二有源层，然后利用特殊设计的光罩，形成数个第一、二光阻图案单元，第二光阻图案单元呈日字形，包括位于所述第二有源层中间部分上方的一字部、及包围所述第二有源层的口字部；与现有的采用Dark模式的光罩相比，增大了用于定义形成TEG测试键的有源层离子植入范围的光阻图案的面积，从而防止了因光阻面积过小，在后续离子植入过程中光阻因负载效应焦化严重而难以去除的问题；另外，与现有的采用Clear模式的光罩相比，减小了整个基板上的光阻图案的面积，从而使后续光阻剥离制程易于进行。