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在静态随机存取存储器重置操作期间用于对静态随机存取存储器位单元加电压或电流偏压的电路及相关系统及方法

摘要

本发明揭示在静态随机存取存储器SRAM重置操作期间用于电压或电流偏压SRAM位单元的电路。还揭示相关系统及方法。为了在单个重置操作中重置多个SRAM位单元,偏压电路经设置且耦合到所述多个SRAM位单元。偏压电路经配置以在提供到SRAM位单元的功率骤降到在操作功率电平以下的骤降功率电平之后在重置操作期间将电压或电流偏压施加到SRAM位单元。在SRAM位单元的功率恢复到操作功率电平时施加偏压,由此迫使所述SRAM位单元进入所要状态。以此方式,在无需来自重置电路的增强的驱动强度的情况下且在无需提供专用SRAM位单元的情况下,SRAM位单元可在单个重置操作中得以重置。

著录项

  • 公开/公告号CN105408959B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-03-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 高通股份有限公司;

    申请/专利号CN201480040983.X

  • 发明设计人 柴家明;萨坦德拉·库玛·莫亚;

    申请日2014-07-29

  • 分类号

  • 代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人宋献涛

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 10:09:07

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-03-27

    授权

    授权

  • 2016-04-13

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C7/20 申请日:20140729

    实质审查的生效

  • 2016-03-16

    公开

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