公开/公告号CN105408959B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-03-27
原文格式PDF
申请/专利权人 高通股份有限公司;
申请/专利号CN201480040983.X
发明设计人 柴家明;萨坦德拉·库玛·莫亚;
申请日2014-07-29
分类号
代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人宋献涛
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 10:09:07
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-03-27
授权
授权
2016-04-13
实质审查的生效 IPC(主分类):G11C7/20 申请日:20140729
实质审查的生效
2016-03-16
公开
公开
机译: 在重置操作期间用于静态随机存取存储器(sram)电压或电流以偏置sram位单元的电路以及相关系统和方法
机译: 在复位操作期间用于静态随机存取存储器(SRAM)的电压或电流偏置SRAM位单元的电路及相关系统和方法
机译: 在SRAM复位操作期间用于电压或电流偏置静态随机存取存储器(SRAM)位单元的电路以及相关系统和方法