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薄膜形成方法、薄膜及带有薄膜的玻璃板

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摘要

本发明涉及TiO

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-10-19

专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):C23C16/40 变更前: 变更后: 申请日:20141114

专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2018-03-30

授权

授权
2016-08-03

实质审查的生效 IPC(主分类):C23C16/40 申请日:20141114

实质审查的生效
2016-07-06

公开

公开

1. 薄膜形成方法、薄膜及带有薄膜的玻璃板 [P] . 中国专利： CN105745354B . 2018.03.30
2. 导电膜形成方法、薄膜晶体管、带有薄膜晶体管的面板以及薄膜晶体管的制造方法 [P] . 中国专利： CN101512730A . 2009-08-19
3. TARGET, FILM FORMING METHOD, THIN FILM TRANSISTOR, PANEL WITH THIN FILM TRANSISTOR, MANUFACTURING METHOD FOR THIN FILM TRANSISTOR, AND MANUFACTURING METHOD FOR PANEL WITH THIN FILM TRANSISTOR [P] . 日本专利： JP2008124450A . 2008-05-29

机译：目标，薄膜形成方法，薄膜晶体管，带有薄膜晶体管的面板，薄膜晶体管的制造方法以及带有薄膜晶体管的面板的制造方法
4. Thin film formation method, thin film, and glass plate having thin film attached thereto [P] . 美国专利： US10287676B2 . 2019-05-14

机译：薄膜形成方法，薄膜和附有薄膜的玻璃板
5. Thin film forming method, thin film and glass plate with thin film [P] . 日本专利： JP6508055B2 . 2019-05-08

机译：薄膜形成方法，薄膜及具有该薄膜的玻璃板