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公开/公告号CN1268543C
专利类型发明授权
公开/公告日2006-08-09
原文格式PDF
申请/专利权人 湖南大学;
申请/专利号CN200410063033.7
发明设计人 唐元洪;裴立宅;陈扬文;郭池;
申请日2004-07-06
分类号C01B33/02(20060101);B82B3/00(20060101);
代理机构43114 长沙市融智专利事务所;
代理人颜勇
地址 410006 湖南省长沙市河西岳麓山
入库时间 2022-08-23 08:58:49
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2010-09-01
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C01B 33/02 授权公告日:20060809 申请日:20040706
专利权的终止
2006-08-09
授权
2005-03-23
实质审查的生效
2005-01-26
公开
机译: 水热法制备自组装生长硅纳米管的方法
机译: 水热法制备自组装硅纳米管
机译:使用纳米通道引导的“原位生长”方法自组装的硅纳米线可用于设备应用
机译:DSSC设计中水热法制备TiO_2纳米管及其表征
机译:超临界水热法制备具有特殊形貌的碳化硅纳米管及其光致发光特性
机译:水热法制备钛酸酯纳米管及其表征
机译:通过自组装“原位生长”方法进行硅纳米线生长和晶体管制造。
机译:阳极氧化-水热法制备钛表面生物功能负载锶和硅的二氧化钛纳米管涂层
机译:利用aTRp /自组装技术制备和功能化纳米微聚合物管及将金颗粒固定在自组装改性表面上
机译:纳米制备具有垂直硅纳米线限流器和自对准门的硅场发射器阵列。