具有竖直漏极到栅极电容耦合的非易失性存储器器件

摘要

竖直制作的非易失性存储器器件在漏极区域与浮栅之间具有电容耦合。一种两端子可编程非易失性器件(200)包括关于衬底竖直设置的浮栅(210)，其中浮栅包括第一侧(213)、第二侧(215)和底部部分(217)。源极区域(240)被耦合到第一端子并且邻近浮栅的第一侧而形成。漏极区域(220)被耦合到第二端子并且邻近浮栅的第二侧而形成。非易失性器件包括耦合源极区域和漏极区域用于编程和擦除操作的沟道(290)。漏极区域被电容地耦合到浮栅。沟道可以被凹陷在衬底中或者衬底的鳍形部分中。栅极绝缘层在源极侧上比在漏极侧上更厚。