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磁检测器及其制造方法,铁磁隧道结器件及其制造方法,以及使用它的磁头

摘要

本发明披露了一种磁检测器,它包括:(1)一支撑基片,(2)一铁磁隧道结元件,其具有在该支撑基片上的第一磁层,在所述第一磁层上的隧道绝缘层,所述隧道绝缘层包括氧化铝,所述氧化铝是由氧化在第一磁层上形成的铝膜获得的,所述铝膜是使用99.999%或更高纯度的铝靶通过溅射形成的,以及在隧道绝缘层上的第二磁层,以及(3)一用于把磁场的改变转换为电阻的改变的转换元件。此外,作为(2)的铁磁隧道结元件,使用其隧道结具有沿所施加电压的方向为不对称的电压-电阻特性的元件。所述不对称的电压-电阻特性可以通过对绝缘层材料的薄膜进行热处理,改变用于形成氧化物的绝缘层的环境中氧气的局部压力,使用两个或多个用于形成薄膜的靶的材料并移动基片等方法来获得。

著录项

  • 公开/公告号CN1267895C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2006-08-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 富士通株式会社;

    申请/专利号CN200410005831.4

  • 发明设计人 佐藤雅重;菊地英幸;小林和雄;

    申请日2000-01-25

  • 分类号G11B5/39(20060101);G01R33/09(20060101);H01L43/08(20060101);

  • 代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;

  • 代理人李德山

  • 地址 日本神奈川

  • 入库时间 2022-08-23 08:58:36

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-03-27

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11B 5/39 授权公告日:20060802 终止日期:20120125 申请日:20000125

    专利权的终止

  • 2006-08-02

    授权

    授权

  • 2005-01-05

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2004-11-03

    公开

    公开

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