用于OLED应用的PECVD HMDSO膜的等离子体固化

摘要

本发明描述了一种用于形成OLED器件的方法。具有夹在阻挡层之间的缓冲层的封装层沉积在OLED结构上。所述缓冲层沉积在第一阻挡层上，并在低于100摄氏度的温度下利用含氟等离子体进行固化。接着，所述第二阻挡层沉积在所述缓冲层上。