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薄膜半导体基板、发光面板以及薄膜半导体基板的制造方法

摘要

一种薄膜半导体基板,具备顶栅型的第1TFT(10)及第2TFT(20)和数据线(源极布线(32)),第1TFT(10)包括第1半导体层(11)、第1栅极绝缘膜(12)、第1栅电极(10G)、第1源电极(10S)及第1漏电极(10D)、以及第1保护层(13),第2TFT(20)包括第2半导体层(21)、第2栅极绝缘膜(22)、第2栅电极(20G)、第2源电极(20S)及第2漏电极(20D)、以及第2保护层(23),数据线与第1源电极(10S)连接,第1漏电极(10D)是第2栅电极(20G)延伸而构成的,第2栅电极(20G)的厚度比数据线的厚度薄。

著录项

  • 公开/公告号CN104350533B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-09-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 松下电器产业株式会社;

    申请/专利号CN201480001305.2

  • 发明设计人 钟之江有宣;森田清之;

    申请日2014-02-21

  • 分类号

  • 代理机构北京市中咨律师事务所;

  • 代理人张谟煜

  • 地址 日本大阪府

  • 入库时间 2022-08-23 10:00:37

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-09-08

    授权

    授权

  • 2015-12-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):G09F 9/30 申请日:20140221

    实质审查的生效

  • 2015-12-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):G09F 9/30 申请日:20140221

    实质审查的生效

  • 2015-02-11

    公开

    公开

  • 2015-02-11

    公开

    公开

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