公开/公告号CN104051538B
专利类型发明专利
公开/公告日2017-08-29
原文格式PDF
申请/专利权人 格罗方德半导体公司;
申请/专利号CN201410095458.X
申请日2014-03-14
分类号
代理机构北京戈程知识产权代理有限公司;
代理人程伟
地址 英属开曼群岛大开曼岛
入库时间 2022-08-23 09:59:32
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-03-10
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L29/78 授权公告日:20170829 终止日期:20190314 申请日:20140314
专利权的终止
2017-08-29
授权
授权
2017-08-29
授权
授权
2014-10-22
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/78 申请日:20140314
实质审查的生效
2014-10-22
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20140314
实质审查的生效
2014-10-22
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20140314
实质审查的生效
2014-09-17
公开
公开
2014-09-17
公开
公开
2014-09-17
公开
公开
查看全部
机译: 整体形成的电子照相接触销具有接触销,该接触销被布置为柔性体,在两个外端具有小的弹性和喇叭形的接触部,其中直径由于非常小的接触部的绕组而改变
机译: 从熔体纺丝和接收装置中拉出纺丝的装置,具有在方向上相邻地形成的辊,在该方向上穿行,其中一部分的非接触长度小于一部分的接触长度。
机译: 在接触区域下方具有合并的源极漏极区域以及在接触区域之间具有未合并的鳍的FinFET器件及其制造方法