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具有体接触的鳍部FET装置及形成具有该体接触的该鳍部FET装置的方法

摘要

本发明涉及具有体接触的鳍部FET装置及形成具有该体接触的该鳍部FET装置的方法,此处提供鳍部场效晶体管装置及形成该鳍部场效晶体管装置的方法。在实施例中,鳍部场效晶体管装置包含具有鳍部的半导体衬底。栅极电极结构覆盖在该鳍部上面。源极和漏极环状及/或延伸区域及磊晶生长的源极区域和漏极区域形成在该鳍部中,并且邻近该栅极电极结构而设置。体接触设置在该鳍部的接触表面上,并且该体接触与该环状及/或延伸区域及该磊晶生长的源极区域和漏极区域分离地隔开。

著录项

  • 公开/公告号CN104051538B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-08-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 格罗方德半导体公司;

    申请/专利号CN201410095458.X

  • 申请日2014-03-14

  • 分类号

  • 代理机构北京戈程知识产权代理有限公司;

  • 代理人程伟

  • 地址 英属开曼群岛大开曼岛

  • 入库时间 2022-08-23 09:59:32

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-03-10

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L29/78 授权公告日:20170829 终止日期:20190314 申请日:20140314

    专利权的终止

  • 2017-08-29

    授权

    授权

  • 2017-08-29

    授权

    授权

  • 2014-10-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/78 申请日:20140314

    实质审查的生效

  • 2014-10-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20140314

    实质审查的生效

  • 2014-10-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20140314

    实质审查的生效

  • 2014-09-17

    公开

    公开

  • 2014-09-17

    公开

    公开

  • 2014-09-17

    公开

    公开

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