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分层存储器磁阻随机存取存储器(MRAM)架构

摘要

公开了一种分层存储器磁阻随机存取存储器架构。在一特定实施例中,一种装置包括与分层存储器系统中的第一级相对应的第一磁阻随机存取存储器(MRAM)设备。该装置包括与该分层存储器系统中的第二级相对应的第二MRAM设备。第一MRAM设备具有第一访问等待时间并且包括具有第一物理配置的第一磁隧道结(MTJ)器件。第二MRAM设备具有第二访问等待时间并且包括具有第二物理配置的第二MTJ器件。第一访问等待时间小于第二访问等待时间。

著录项

  • 公开/公告号CN104488030B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-07-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 高通股份有限公司;

    申请/专利号CN201380020593.1

  • 发明设计人 S·H·康;X·朱;

    申请日2013-04-19

  • 分类号

  • 代理机构上海专利商标事务所有限公司;

  • 代理人蔡悦

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 09:58:58

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-07-28

    授权

    授权

  • 2015-05-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 11/16 申请日:20130419

    实质审查的生效

  • 2015-05-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 11/16 申请日:20130419

    实质审查的生效

  • 2015-04-01

    公开

    公开

  • 2015-04-01

    公开

    公开

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