一种金属膜片阵列/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管的制备方法

摘要

本发明公开了一种金属膜片阵列/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管的制备方法，利用旋涂成膜工艺技术，在硅/二氧化硅衬底上，依次制备出金属膜片阵列层、有机半导体层，随后，通过图形化掩膜覆盖蒸镀工艺技术在金属膜片阵列/有机半导体复合导电沟道层表面及其硅片衬底背面上分别形成Cr/Au复合金属电极，引出相应的源极、漏极和栅极，再通过旋涂有机物实现对金属膜片阵列/有机半导体复合导电沟道的有效封装和保护，从而制备出新型的金属膜片阵列/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，精确可控，有效提高了金属膜片阵列/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管的开关比及其电流值。