一种TSV Interposer结构及其封装方法

摘要

本发明公开了一种TSV Interposer结构及其封装方法，属于半导体封装技术领域。其封装方法如下：取晶圆并在晶圆的一面开设盲孔Ⅰ，通过同时抽真空、加热、加压的方式将绝缘层压合在晶圆的表面和盲孔Ⅰ内，通过定位、激光开孔工艺在盲孔Ⅰ内开设盲孔Ⅱ，通过再布线工艺在绝缘层的表面和盲孔Ⅱ内形成再布线金属层Ⅰ，再布线金属层Ⅰ于晶圆的上方设置输入/输出端Ⅰ和保护层，通过机械抛磨的方法减薄晶圆的另一面，形成减薄面，通过再布线工艺在减薄面上形成再布线金属层Ⅱ，该再布线金属层Ⅱ于绝缘层开口处与再布线金属层Ⅰ连接，将采用晶圆级封装工艺完成的TSV Interposer结构切割、裂片。本发明有效地降低了工艺难度，提高了Interposer的良率。