用于制备III‑N模板及其继续加工的方法和III‑N模板

摘要

本发明涉及制备III‑N‑模板和制备III‑N‑单晶，其中III表示元素周期表第三主族中选自Al、Ga和In的至少一种元素。通过在晶体生长过程中调节确定的参数可以获得III‑N‑模板，所述模板赋予在异质衬底上生长的晶体层特性，所述特性使得能够获得模板形式的或甚至具有大的III‑N‑层厚的无裂纹的III‑N单晶。