在双金属/多晶硅氧化物氮化物氧化物硅阵列中的联结及选取步骤

摘要

在本发明中，通过提供特别的阵列端结构及其制造方法，扩散位线的三抗阻层、控制栅极及字栅极多晶硅(其是在控制栅极多晶硅可在扩散位线的顶部上运行处)，可非常有效地只与三层金属线联结，且保持最小金属间隔，联结方法亦可包含有一位扩散选择晶体管及/或一控制栅极线选择晶体管线，选择晶体管的目的可降低位线或控制栅极线的整体电容，或限制在编程及/或清除期间单元的接地次阵列收到的干扰情况。