公开/公告号CN104540984B
专利类型发明专利
公开/公告日2017-02-22
原文格式PDF
申请/专利权人 硅电子股份公司;
申请/专利号CN201380037711.X
发明设计人 G·拉明;L·阿尔特曼绍夫尔;
申请日2013-07-01
分类号
代理机构永新专利商标代理有限公司;
代理人苗征
地址 德国慕尼黑
入库时间 2022-08-23 09:52:56
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-02-22
授权
授权
2015-05-13
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 13/20 申请日:20130701
实质审查的生效
2015-04-22
公开
公开
机译: 区域熔化法生产硅单晶,包括在熔化棒下端的熔化区熔化块状材料,并使熔化区与籽晶接触,从而使单晶在籽晶上生长。
机译: 熔融区单晶结晶结晶制备单晶的装置
机译: 制备无位错的单晶硅棒,包括连续熔化多晶棒,用单晶种晶接种熔融材料,以及重结晶成单晶棒。