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通过在熔化区使单晶结晶而制备单晶的装置

摘要

本发明涉及用于通过在熔体区使单晶结晶而制备单晶的装置。所述装置包括壳体、用于在熔体区产生热的电感器、围绕结晶单晶并对其进行热辐射的再热器以及分隔底部,该分隔底部将再热器与壳体的壁之间的中间空间向下限定在再热器下端。

著录项

  • 公开/公告号CN104540984B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-02-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 硅电子股份公司;

    申请/专利号CN201380037711.X

  • 发明设计人 G·拉明;L·阿尔特曼绍夫尔;

    申请日2013-07-01

  • 分类号

  • 代理机构永新专利商标代理有限公司;

  • 代理人苗征

  • 地址 德国慕尼黑

  • 入库时间 2022-08-23 09:52:56

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-02-22

    授权

    授权

  • 2015-05-13

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 13/20 申请日:20130701

    实质审查的生效

  • 2015-04-22

    公开

    公开

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