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公开/公告号CN106342102B
专利类型发明专利
公开/公告日2010-12-15
原文格式PDF
申请/专利权人 上海航天设备制造总厂;
申请/专利号CN200610120943.3
发明设计人 王炜;庄纯;王浪平;徐小明;邱颖光;
申请日2006-12-27
分类号C23C14/48(20060101);C23C14/02(20060101);C23C14/16(20060101);C23C14/54(20060101);
代理机构31107 上海航天局专利中心;
代理人金家山
地址 200245 上海市闵行华宁路100号
入库时间 2022-08-23 09:50:52
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-01-18
保密专利的解密 IPC(主分类):C23C 14/48 申请日:20061227
保密专利的解密
2010-12-15
保密专利专利权授予
机译: 钛合金零件表面的离子注入方法
机译: 钛合金压缩叶片的离子注入处理方法
机译: 钛合金零件的离子注入处理方法
机译:等离子体浸没离子注入和沉积对IMI 834钛合金钛合金高温氧化的影响
机译:等离子体浸没离子注入和沉积在钛钛合金上制备的Ti / TiC涂层的结构和耐蚀性
机译:距钛合金零件表面的蒸馏
机译:纳米氧化物膜在钛合金零件表面上的应用,以提高耐腐蚀性
机译:激光 - 火花多晶体离子注入系统:在离子植入中的应用和镍中碳的神经沉积(111)
机译:融合沉积建模零件表面粗糙度的决策树方法
机译:通过高真空退火和离子注入方法形成机械零件表面层的结构形成
机译:一种新型钛合金表面处理方法