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一种带有补偿偏置电路的低噪声放大器

摘要

一种带有补偿偏置的单端输入低噪声放大器,其特征是该偏置电路包括第一NMOS晶体管(M1)、第二NMOS晶体管(M2)、第三NMOS晶体管(M3)、第四NMOS晶体管(M4)、低噪声放大器的共源放大管(M5)、低噪声放大器的共栅晶体管(M6)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第五电阻(R5)、第一电容(C1)、第二电容(C2)和第三电容(C3)。这种偏置电路可以对温度,工艺角以及电源电压的变化进行一定的补偿,使得低噪声放大器在不同的工艺角,温度,电源电压下性能保持基本的稳定,或者做出进一步的过补偿调整,以满足实际生产和应用条件下的需求。

著录项

  • 公开/公告号CN104158498B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-01-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 江苏星宇芯联电子科技有限公司;

    申请/专利号CN201410351700.5

  • 发明设计人 徐厚军;俞志君;姚英姿;

    申请日2014-07-22

  • 分类号H03F1/30(20060101);

  • 代理机构32218 南京天华专利代理有限责任公司;

  • 代理人蒋真

  • 地址 210000 江苏省南京市栖霞区甘家边东108号1幢201室

  • 入库时间 2022-08-23 09:50:43

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-01-11

    授权

    授权

  • 2014-12-17

    实质审查的生效 IPC(主分类):H03F 1/30 申请日:20140722

    实质审查的生效

  • 2014-11-19

    公开

    公开

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