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基于石墨烯/硅/石墨烯的雪崩光电探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于石墨烯/硅/石墨烯的雪崩光电探测器及其制备方法,所述雪崩光电探测器包括n型硅衬底、二氧化硅隔离层、二氧化硅窗口、二氧化硅绝缘层、顶电极、石墨烯叉指电极薄膜和抗反射层。本发明以石墨烯作为透明叉指电极,与衬底硅形成MSM型结构光电探测器。该光电探测器可以进行宽光谱探测,解决了传统硅基PIN结对紫外光探测响应低的问题;抗反射层增强入射光的吸收,增强光生电流;在较大的反向偏压作用下,石墨烯叉指电极之间产生很强的电场,光生载流子与硅晶格易于产生碰撞离子化,获得很高的增益。本发明具有响应度高,响应速度快,内部增益大,开关比小,低功耗的特点。

著录项

  • 公开/公告号CN104157721B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-08-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 浙江大学;

    申请/专利号CN201410390871.9

  • 申请日2014-08-08

  • 分类号

  • 代理机构杭州求是专利事务所有限公司;

  • 代理人邱启旺

  • 地址 310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

  • 入库时间 2022-08-23 09:46:11

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-08-31

    授权

    授权

  • 2014-12-17

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/107 申请日:20140808

    实质审查的生效

  • 2014-11-19

    公开

    公开

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