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一种改善SiC光导器件量子效率的器件结构

摘要

本实用新型涉及光导器件领域,特别是一种改善SiC光导器件量子效率的器件结构,包括SiC衬底,所述SiC衬底上下表面设有透明电极,两个所述透明电极外表面设有DBR反射层;所述DBR反射层包括若干高折射率层和若干低折射率层,若干所述高折射率层、若干所述低折射率层交错设置,所述DBR反射层最上层和最下层为高折射率层。本实用新型能够增强光导器件对外界光激发的响应能力。

著录项

  • 公开/公告号CN215867429U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2022-02-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国人民解放军国防科技大学;

    申请/专利号CN202121605997.5

  • 发明设计人 陈谦;易木俣;王朗宁;荀涛;张军;

    申请日2021-07-15

  • 分类号G02F1/01(20060101);

  • 代理机构11901 北京盛询知识产权代理有限公司;

  • 代理人陈巍

  • 地址 410073 湖南省长沙市开福区德雅路109号

  • 入库时间 2022-08-23 04:53:35

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