一种极性相同的钝化接触结构及电池、组件和系统

摘要

本实用新型涉及一种极性相同的钝化接触结构及电池、组件和系统；该极性相同的钝化接触结构包括硅衬底、设于硅衬底至少一面的电介质层、交替布置于电介质层表面的多晶硅层和第一多晶硅掺杂层、以及设于第一多晶硅掺杂层表面的第二多晶硅掺杂层；第一多晶硅掺杂层和第二多晶硅掺杂层的厚度之和大于多晶硅层的厚度，位于多晶硅层两侧的第一多晶硅掺杂层的掺杂极性相同，且第二多晶硅掺杂层的掺杂浓度大于第一多晶硅掺杂层的掺杂浓度；电介质层的厚度为0.9～2.9nm。该极性相同的钝化接触结构能显著降低金属接触复合及接触电阻，应用于太阳能电池(如TOPCon电池)后，能提高其短路电流和双面率，进而能提高太阳能电池的光电转换效率。