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一种超声换能器阵列封装结构

摘要

本实用新型公开了一种超声换能器阵列封装结构,超声换能器阵列封装结构包括基体、金属化框架、以及位于金属化框架内的超声换能器阵列,基体设置在金属化框架的上方;金属化框架、超声换能器阵列、以及基体低温键合互联;基体包括焊点、钝化层、以及嵌入钝化层内的金属互连层,焊点在基体相对于金属化框架方向的另一侧;金属化框架与超声换能器阵列之间的空隙及表面,填充和覆盖有声学匹配层。本实用新型利用了半导体工艺分别制作了基体和金属化框架,并利用半导体封装工艺中的低温键合技术对超声换能器阵列进行了封装,避免了超声换能器阵列经受高温半导体制程和高温键合过程而导致的失效问题。

著录项

  • 公开/公告号CN215695553U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2022-02-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN202023280933.0

  • 发明设计人 鲁瑶;于大全;万里兮;

    申请日2020-12-29

  • 分类号B06B1/02(20060101);

  • 代理机构11728 北京信诺创成知识产权代理有限公司;

  • 代理人陈悦军;张伟杰

  • 地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

  • 入库时间 2022-08-23 04:32:19

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