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一种坩埚旋转下降法生长氟化物晶体的装置

摘要

一种坩埚旋转下降法生长氟化物晶体的装置,包括炉体,炉体内腔装有底部保温屏,底部保温屏上安装有下圆周保温屏和隔热环,隔热环上方装有上圆周保温屏和顶部保温屏;坩埚支柱杆穿过炉体,坩埚支柱杆的上端固定安装有坩埚,上腔体内固定安装有发热体;炉体底部通过进气口与惰性气体罐和还原性气体罐相连接,炉体上方侧表面设置有出气口。其方法包括热场安装和装料、抽真空并充入保护气氛、升温化料、晶体生长和降温退火。本实用新型通过不断充入惰性气体加还原性气体的混合气,从而既保证在氟化物生长过程中能够有效去除原料中含氧杂质,也能够有效将热场、原料中挥发出来的杂质带出炉腔,大大减少炉内的杂质污染物,以提高晶体质量。

著录项

  • 公开/公告号CN215713512U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2022-02-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海德硅凯氟光电科技有限公司;

    申请/专利号CN202121212232.5

  • 发明设计人 王庆国;姜大朋;苏良碧;贾健;

    申请日2021-06-02

  • 分类号C30B11/00(20060101);C30B28/06(20060101);C30B29/12(20060101);

  • 代理机构31315 上海骁象知识产权代理有限公司;

  • 代理人赵峰

  • 地址 201802 上海市嘉定区真南路4268号2幢J16043室

  • 入库时间 2022-08-23 04:29:05

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