一种具有PIN隧穿结的微结构发光二极管

摘要

本实用新型公开一种具有PIN隧穿结的微结构发光二极管，其特征在于，包括由下至上依次设置的蓝宝石衬底、本征GaN层、第一n型半导体层、多量子阱有源层、p‑AlGaN层、本征AlGaN层和第二n型半导体层，其中，p‑AlGaN层、本征AlGaN层和第二n型半导体层组成所述PIN隧穿结。通过PIN隧穿结提升遂穿注入效率和增加电流扩展，有效解决微结构发光二极管效率下降问题。