电极结构及半导体器件

摘要

本实用新型提供了一种电极结构及半导体器件，在所述电极结构中，多晶硅层、第一金属层和第二金属层依次堆叠，且所述第二金属层的外边缘短于所述第一金属层的外边缘，由此可以使得第一金属层隔离在第二金属层与多晶硅层之间，拉长了第二金属层与多晶硅层构成的电极间距离，进而在后续BOE腐蚀工艺中能够大大削弱电极间的电场强度，减缓电子向多晶硅层迁移的速率，有效阻断多晶硅层的电化学反应，保护多晶硅在后续BOE腐蚀工艺免遭电化学腐蚀，最终提高了器件性能。