公开/公告号CN215266311U
专利类型实用新型
公开/公告日2021-12-21
原文格式PDF
申请/专利权人 上海格瑞宝电子有限公司;
申请/专利号CN202121309163.X
申请日2021-06-11
分类号H01L29/78(20060101);H01L29/423(20060101);H01L29/06(20060101);
代理机构11958 北京智托宝知识产权代理有限公司;
代理人刘奕彤
地址 200135 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区盛夏路560号904室
入库时间 2022-08-23 03:31:56
机译: 新型功率金属氧化物半导体激光器场效应晶体管
机译: 一种操作金属氧化物半导体场效应晶体管的方法
机译: 一种用于制造衬底的方法,衬底,具有衬底的金属氧化物半导体场效应晶体管,具有衬底的MEMS以及机动车辆