公开/公告号CN215089481U
专利类型实用新型
公开/公告日2021-12-10
原文格式PDF
申请/专利权人 泉芯集成电路制造(济南)有限公司;
申请/专利号CN202120248441.9
发明设计人 温智中;
申请日2021-01-28
分类号B08B9/032(20060101);H01L21/677(20060101);
代理机构11332 北京品源专利代理有限公司;
代理人胡彬
地址 250101 山东省济南市高新区机场路7617号411-2-9室
入库时间 2022-08-23 03:11:01
机译: 磊晶磊晶中横向自掺杂的补偿方法
机译: AlN晶体,AlN晶体基质,具有磊晶层的AlN晶体基质和半导体装置的表面处理方法
机译: 带有磊晶层的基于AlGaInN的LED