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一种相变存储器写加速方法及其系统

摘要

本发明公开了一种相变存储器写加速方法,该方法包括:Partial‑SET写操作判断步骤和写请求执行步骤,Partial‑SET写操作判断步骤为判断相变存储器中当前写请求采用的写脉冲类型为SET或Partial‑SET脉冲;写请求执行步骤为根据写脉冲类型,采用SET或快速Partial‑SET方法,根据SET和RESET操作的不同写速度实现相变存储器的快速Partial‑SET写加速,本发明还公开了一种相变存储器的写加速系统。

著录项

  • 公开/公告号CN103839580B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-08-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院计算技术研究所;

    申请/专利号CN201410064466.8

  • 发明设计人 李冰;胡瑜;单书畅;李晓维;

    申请日2014-02-25

  • 分类号

  • 代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司;

  • 代理人祁建国

  • 地址 100190 北京市海淀区中关村科学院南路6号

  • 入库时间 2022-08-23 09:44:27

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-08-17

    授权

    授权

  • 2014-07-02

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 11/56 申请日:20140225

    实质审查的生效

  • 2014-06-04

    公开

    公开

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