退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN214193509U
专利类型实用新型
公开/公告日2021-09-14
原文格式PDF
申请/专利权人 刘昊翔;
申请/专利号CN202023154498.7
发明设计人 刘昊翔;潘泓佐;陈杭肖;吴啸歌;曲婷潞;
申请日2020-12-24
分类号C30B11/10(20060101);
代理机构
代理人
地址 101100 北京市通州区潞河中学北街26号院一号楼一单元152
入库时间 2022-08-23 00:24:29
机译: 浅熔法用于半连续czochralski晶体生长
机译: 保持恒定熔线定向的切克劳斯基晶体生长工艺炉和操作方法
机译:熔体中一种新颖的晶体生长技术:悬浮辅助自种晶体生长方法
机译:Czochralski晶体生长炉激光熔体液位监测系统的理论分析
机译:卢尔为垃圾焚烧炉提供气体净化设备
机译:硅熔体晶体生长行为对铸造法生长高质量多晶硅的晶体生长行为研究
机译:一种用于聚合物熔体和固体的新型压力-体积-温度设备。
机译:微波在有机合成中的应用:一种改进的一步法合成金属酞菁和一种新型的干反应改性微波炉
机译:布里奇曼法在晶体生长过程中振动扰动对熔体中热力学和流体力学过程的影响
机译:污泥批次4基线熔体速率炉和浆料进料熔体速率炉测试具有熔块418和510(U)。