一种用于单芯片压接型IGBT器件结温实时监测装置

摘要

本实用新型公开一种用于单芯片压接IGBT器件结温实时监测装置，该装置选取小电流下压接IGBT模块集电极和发射极电压V_ce作为温度敏感电参数。包括：温箱实验单元，驱动单元，保护单元，小电流测试单元，功率循环单元，数据采集分析单元，待测单芯片压接型IGBT器件单元。装置通过温箱实验单元和小电流测试单元获得的温度敏感电参数V_ce和结温T_j，建立压接IGBT模块特性曲线。功率循环过程中，通过功率循环实验单元控制待测压接IGBT器件导通和关断，然后将数据采集分析模单元采集的关断瞬间V_CE结果带入特性曲线，得到结温变化情况。本装置设有压力可调夹具装置，可测量不同压力下压接IGBT器件特性曲线。本实用新型实时监测不同压力下压接IGBT器件结温。