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一种MOS延迟保护电路

摘要

本实用新型提供了一种MOS延迟保护电路,包括保护电路控制芯片和MOS管,保护电路控制芯片分别连接监控信号和MOS管的栅极,MOS管的漏极和源极分别连接检测信号的输入端和输出端;保护电路还包括MOS保护模块,MOS保护模块连接MOS管的栅极。本实用新型通过在MOS管的栅极加入MOS保护模块,使MOS的开启时间延时,关闭时间缩短,从而保护MOS,有效解决保护电路中MOS管容易损坏的问题。

著录项

  • 公开/公告号CN213782866U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2021-07-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 浪潮电子信息产业股份有限公司;

    申请/专利号CN202022987260.6

  • 发明设计人 黄美红;

    申请日2020-12-11

  • 分类号H02H7/20(20060101);

  • 代理机构37105 济南诚智商标专利事务所有限公司;

  • 代理人黄晓燕

  • 地址 250101 山东省济南市高新区浪潮路1036号S05南五楼

  • 入库时间 2022-08-22 23:08:04

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