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半导体晶体制造装置及其配管构造

摘要

本申请的半导体晶体制造装置具备将被向制造半导体晶体的腔内导入的气体排出的第1~第4排气口、各一端分别与对应的各第1~第4排气口连接的个别排气管(31A~31D)、与个别排气管(31A~31D)的各另一端连接的结合管(32)。从各第1~第4排气口经由对应的各个别排气管(31A~31D)至结合管(32)的第2结合部(C21)的距离均实质上相等。

著录项

  • 公开/公告号CN213476156U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2021-06-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 胜高股份有限公司;

    申请/专利号CN202021941143.X

  • 申请日2020-09-08

  • 分类号C30B29/06(20060101);C30B15/00(20060101);

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人张泽洲;陈浩然

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2022-08-22 22:19:16

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