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发光二极管芯片、发光二极管封装结构、及其形成方法

摘要

一发光二极管芯片、一发光二极管封装结构与上述的形成方法系被提供。所述发光二极管芯片包含一结合层,其具有多个空隙、或发光二极管芯片的外围边界与所述结合层的最小水平距离系大于零。所述发光二极管芯片、所述发光二极管封装结构与所述其形成方法可改善产率及加强发光效率。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-08-03

    授权

    授权

  • 2013-07-24

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/52 申请日:20110803

    实质审查的生效

  • 2013-06-26

    公开

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