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公开/公告号CN210692559U
专利类型实用新型
公开/公告日2020-06-05
原文格式PDF
申请/专利权人 中山德华芯片技术有限公司;
申请/专利号CN201922120099.X
发明设计人 黄辉廉;黄珊珊;文宏;叶旺;刘建庆;
申请日2019-12-02
分类号
代理机构广州市华学知识产权代理有限公司;
代理人冯炳辉
地址 528437 广东省中山市火炬开发区火炬路22号之二第3-4层
入库时间 2022-08-22 14:24:09
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-06-05
授权
机译: 一种异质结双极元件的制造方法及其双极元件的结构
机译: 异质结太阳能电池的双光伏模块
机译:通过金属有机化学气相沉积法生长的GaInNAs / Ge(1.10 / 0.67 eV)双结太阳能电池,用于高效四结太阳能电池应用
机译:在〜25μm的超薄柔性硅基板上实现双异质结太阳能电池
机译:在约25μm的超薄柔性硅基板上实现双异质结太阳能电池
机译:P型单晶硅对多晶/晶体单异质结和双异质结太阳能电池的优化
机译:Cu2ZnSn(S xSe1-x)4光伏吸收剂和薄膜异质结太阳能电池的生长,制备和表征。
机译:高效双吸收体PbS / CdS异质结通过增强电荷的太阳能电池使用ZnO纳米棒阵列进行收集
机译:非柔性与柔性倒置散装 - 异质结有机太阳能电池的稳定性,用ZnO作为通过溶胶 - 凝胶旋涂法制备的电子传输层
机译:用于双异质结硅太阳能电池的良好钝化的a-si:H背触点