半导体IC内藏基板及其制造方法

摘要

本发明提供一种超薄型的半导体IC内藏基板。其中，准备芯材浸渍于未硬化状态的树脂并具有以在平面上看被芯材和树脂包围的形式贯通它们而设置的贯通孔（112a）的预浸料坯（111a）。接着，将半导体IC（120）容纳于贯通孔（112a），通过在该状态下热压预浸料坯（111a）而使树脂的一部分流入到贯通孔（112a），由此由流入的树脂将容纳在贯通孔（112a）的半导体IC（120）埋入。在本发明中，在半导体IC（120）的上下没有芯材的状态下，由流入的树脂将半导体IC（120）埋入，因而可以得到在半导体IC（120）的上下不存在芯部的超薄型构造。