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公开/公告号CN209859374U
专利类型实用新型
公开/公告日2019-12-27
原文格式PDF
申请/专利权人 王海波;
申请/专利号CN201920041262.0
发明设计人 王海波;
申请日2019-01-10
分类号
代理机构北京科家知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人陈娟
地址 134002 吉林省通化市育才路950号
入库时间 2022-08-22 11:58:22
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-12-27
授权
机译: 一种在非III-V材料基质上生长III-V材料的方法,该步骤可改善适用于半导体制造和半导体应用的最终材料结构的位移断层密度
机译: 包含一种用于隔音材料和高密度橡胶的废氧化铁的组合物,由此制备一种用于隔音材料和高密度橡胶和隔音材料以及高密度橡胶的方法
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机译:相同单光子的来源物理学家使用半导体量子点来开发一种新型的发出单光子的光源。首次有可能产生相同光子流。
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