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一种对缺陷模反射率增强的光子晶体

摘要

本实用新型提供了一种对缺陷模反射率增强的光子晶体,属于光电技术领域。一种高反射率的光子晶体,本光子晶体包括第一电介质层、第二电介质层、缺陷层和石墨烯层,缺陷层位于电子晶体的中部;第一电介质层和第二电介质层的分布规律为:缺陷层的两侧交替排列有若干第一电介质层和若干第二电介质层,且光子晶体的两外侧面均为第一电介质层,贴近缺陷层的两侧均为第二电介质层;石墨烯层嵌入在缺陷层内。本实用新型具有能够通过将石墨烯掺杂到光子晶体的缺陷层中,从而提高缺陷模反射率、引起反射系数相位剧烈变化和反射光束大的横向位移等优点。

著录项

  • 公开/公告号CN209417328U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2019-09-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 湖北科技学院;

    申请/专利号CN201920245931.6

  • 发明设计人 钟东;文杰;

    申请日2019-02-27

  • 分类号

  • 代理机构咸宁鸿信专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人汪彩彩

  • 地址 437100 湖北省咸宁市咸安区咸宁大道88号

  • 入库时间 2022-08-22 10:43:02

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-09-20

    授权

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