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对超测量源表范围的漏源击穿电压进行测量的装置及方法

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摘要

一种对超测量源表范围的漏源击穿电压进行测量的装置及方法中，由第一源-测量单元在0≤U

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-06-01

授权

授权
2014-08-13

实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 31/12 申请日:20120326

实质审查的生效
2014-04-23

专利申请权的转移 IPC(主分类):G01R 31/12 变更前: 变更后: 登记生效日:20140402 申请日:20120326

专利申请权、专利权的转移
2013-10-23

公开

公开

1. 对超测量源表范围的漏源击穿电压进行测量的装置及方法 [P] . 中国专利： CN103364694B . 2016.06.01
2. 漏源击穿电压测试装置以及漏源击穿电压测试方法 [P] . 中国专利： CN102621459A . 2012-08-01
3. Method for measuring currents, involves causing drain-source-voltage of switching transistor to correspond to drain source voltage of decoupling transistor by using operational amplifier [P] . 德国专利： DE102013221005A1 . 2014-04-30

机译：测量电流的方法，涉及通过使用运算放大器使开关晶体管的漏极-源极电压对应于去耦晶体管的漏极-源极电压。
4. Method for measuring analog channel resistance of a semiconductor device having a gate, a source, a drain, a drain sense and a source sense [P] . 美国专利： US7615991B2 . 2009-11-10

机译：测量具有栅极，源极，漏极，漏极感测和源极感测的半导体器件的模拟沟道电阻的方法
5. Neurogenic baroreflex sensitivity measurement device, neurogenic baroreflex sensitivity measurement program and neurogenic baroreflex sensitivity measurement method [P] . 美国专利： US9826909B2 . 2017-11-28

机译：神经源性压力反射敏感性测量装置，神经源性压力反射敏感性测量程序和神经源性压力反射敏感性测量方法