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非对称真空灭弧室纵向磁场触头结构

摘要

本实用新型公开了一种非对称真空灭弧室纵向磁场触头结构,包括静触头片和动触头片,静触头片与静导电杆固定连接,动触头片与动导电杆固定连接,静触头片与动触头片之间存在间隙,静触头片与静导电杆之间设有纵向磁场线圈,动触头片与动导电杆之间设有动触头外屏蔽罩。本实用新型有利于减小灭弧室尺寸,使断路器体积小型化;内部所形成纵向磁场呈“偏心式”,磁场有效面积较大,利于真空电弧直接进入扩散态,灭弧室使用寿命长,开断性能好。

著录项

  • 公开/公告号CN206116279U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2017-04-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 厦门理工学院;

    申请/专利号CN201621185197.1

  • 申请日2016-10-28

  • 分类号H01H33/664(20060101);

  • 代理机构泉州市潭思专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人麻艳

  • 地址 361024 福建省厦门市集美区理工路600号

  • 入库时间 2022-08-22 02:25:06

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-04-19

    授权

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