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公开/公告号CN206116279U
专利类型实用新型
公开/公告日2017-04-19
原文格式PDF
申请/专利权人 厦门理工学院;
申请/专利号CN201621185197.1
发明设计人 易荣先;郭建炎;杨长洲;魏明明;段振斌;
申请日2016-10-28
分类号H01H33/664(20060101);
代理机构泉州市潭思专利代理事务所(普通合伙);
代理人麻艳
地址 361024 福建省厦门市集美区理工路600号
入库时间 2022-08-22 02:25:06
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-04-19
授权
机译: 真空灭弧室触头中的非线性磁场分布
机译: -真空灭弧室用Cu-Cr触头材料的微结构控制方法及其制造的触头材料
机译:电流板中电流密度纵向分布对其磁场结构和形成动力学的影响。 I:计算具有不同配置的当前工作表的磁场
机译:电流层中电流密度的纵向分布对其磁场结构及其形成动力学的影响。 I.不同构型电流层的磁场计算
机译:电流密度在电流层中的纵向分布对其磁场结构的影响及其形成动力学。 I.计算各种配置的电流层磁场的计算
机译:新型用于真空灭弧室的非对称AMF触头的三维磁场分析
机译:纳米结构控制的SmBa2Cu3Oy薄膜在纵向磁场中的超导性能和磁通钉扎机理研究
机译:MgO / Fe的电子结构具有垂直磁场该磁场通过施加磁场的硬X射线光发射揭示
机译:多量子阱结构中的非对称效应及外部磁场对偶极矩阵元件的影响
机译:纵向磁场作用下金属基复合材料在低温下的纵向电导率。第1部分:线性化Boltzmann方程的解。第2部分。溶液在金属基复合材料中的应用,