公开/公告号CN205845517U
专利类型实用新型
公开/公告日2016-12-28
原文格式PDF
申请/专利权人 四川省豆萁科技股份有限公司;
申请/专利号CN201620556791.0
发明设计人 陶胜;
申请日2016-06-07
分类号G11C16/30(20060101);
代理机构11283 北京润平知识产权代理有限公司;
代理人曹寒梅;肖冰滨
地址 621000 四川省绵阳市经济技术开发区三江大道北段39号
入库时间 2022-08-22 02:01:21
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-12-28
授权
授权
机译: 存储器单元,即动态RAM,一种操作方法,涉及在提供用于将读信息从存储器区域传送到输出缓冲器的读指令之后的时间间隔,在存储器区域和输出缓冲器之间产生读连接。
机译: 薄膜磁性随机存取存储器包括数据读/写电路,以基于读/写数据电平向选定的位线提供数据读/写电流
机译: 非易失性铁电存储器动态随机存取存储器具有行冗余驱动电路,以在主单元区域中选定的行地址发生错误时将无效信号输出到主字线驱动器