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小型高产额氘氘中子发生器

摘要

本实用新型公开了一种小型高产额氘氘中子发生器。采用模块化分布式高频离子源,在端部为球面的陶瓷圆柱体外表面上均匀分布,输出分布均匀、流强大于1A、单原子比例超过80%氘离子束,在端部为球面的柱形的加速电场中加速,轰击位于高电位端的端部为球面的柱形金属或陶瓷自成靶,发生氘/氘反应,产生2.45MeV中子。模块化分布式高频离子源数量和自成靶的面积不受限制,氘氘反应的中子产额超过10

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-04-05

    避免重复授予专利权 IPC(主分类):H05H3/06 授权公告日:20150211 放弃生效日:20170405 申请日:20140716

    避免重复授权放弃专利权

  • 2015-02-11

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