首页> 中国专利> 用于GIS缺陷模拟的尖端与平面电极间隙

用于GIS缺陷模拟的尖端与平面电极间隙

摘要

本实用新型涉及一种用于GIS缺陷模拟的尖端与平面电极间隙,包括尖端电极、平面电极和有机玻璃筒,所述的尖端电极、平面电极均设置在有机玻璃筒内,所述的尖端电极与平面电极相对设置。与现有技术相比,本实用新型具有可准确模拟金属突出物缺陷等优点。

著录项

  • 公开/公告号CN202502210U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2012-10-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201220124002.8

  • 发明设计人 高凯;倪浩;

    申请日2012-03-29

  • 分类号

  • 代理机构上海科盛知识产权代理有限公司;

  • 代理人宣慧兰

  • 地址 200122 上海市浦东新区源深路1122号

  • 入库时间 2022-08-21 23:35:57

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-10-24

    授权

    授权

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号