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公开/公告号CN103620740B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-05-04
原文格式PDF
申请/专利权人 应用材料公司;
申请/专利号CN201280025601.7
发明设计人 大平·姚;
申请日2012-05-11
分类号H01L21/205(20060101);
代理机构11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司;
代理人徐金国;赵静
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 09:38:52
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-05-04
授权
2014-07-09
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/205 申请日:20120511
实质审查的生效
2014-03-05
公开
机译: 在裸露的硅上而不是在氧化物表面上选择性沉积聚合物膜
机译: 聚合物膜选择性沉积到裸露的硅而不是氧化物表面
机译: 在裸硅上而不是氧化物表面上选择性沉积聚合物膜
机译:表面引发的聚合物薄膜,用于区域选择性沉积和金属氧化物的蚀刻
机译:氧化物表面上蛋白质涂层的多壁碳纳米管的沉积及其在硅微模型中的保留
机译:关于p〜+型多晶硅在有纹理和平坦表面上通过不同方法沉积的氧化物结上的复合行为
机译:通过金属有机化学气相沉积和微接触印刷方法的组合,在Si(100)表面上选择性沉积金属氧化物薄膜
机译:在非晶表面上的选择性硅和锗纳米粒子沉积。
机译:热沉积后单晶硅表面上的银和金有序结构
机译:碳纳米管在裸露硅上的选择性生长:MWNT sinthesys在图案化基材上进行,无需预先沉积金属催化剂
机译:氧化物覆盖层对金属表面性质的改变:2,pt沉积在预氧化的Zr(0001)表面上