扩散阻挡层和带扩散阻挡层的半导体器件及其制造方法

摘要

提供了一种带扩散阻挡层的半导体器件，该半导体器件包括，至少一个带导电金属元件的半导体衬底；还有加在至少一部分衬底上的一个扩散阻挡层，其接触导电金属元件，该扩散阻挡层有一个上表面、一个下表面和一个中间部分，由硅、碳、氮和氢形成，氮在整个扩散阻挡层中是非均匀分布的。因此，与扩散阻挡层的中间部分相比，氮在层的上表面和下表面附近浓度更大。还提供了制造这种半导体器件的方法。