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PNP型大电流大功率多芯片达林顿晶体管

摘要

本实用新型涉及一种半导体功率晶体管技术,尤其是指一种PNP型大电流大功率多芯片达林顿晶体管。按照本实用新型提供的技术方案,在底板上有铜块,在铜块上有管芯,在底板上设置晶体管基极的引出脚和发射极的引出脚,其特征是:所述管芯至少有3个,每个管芯分别利用内引线与晶体管基极的引出脚和发射极的引出脚连接。本实用新型利用多个PNP型达林顿大功率管芯装片焊接在特大铜块的金属管座上,制造出大电流大功率的PNP型达林顿晶体管。

著录项

  • 公开/公告号CN201210492Y

    专利类型

  • 公开/公告日2009-03-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 无锡固电半导体股份有限公司;

    申请/专利号CN200820037516.3

  • 发明设计人 龚利汀;钱晓平;龚利贞;

    申请日2008-06-06

  • 分类号

  • 代理机构无锡市大为专利商标事务所;

  • 代理人曹祖良

  • 地址 214028 江苏省无锡市新区新梅路68号

  • 入库时间 2022-08-21 23:02:26

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-07-25

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L25/00 授权公告日:20090318 终止日期:20110606 申请日:20080606

    专利权的终止

  • 2009-03-18

    授权

    授权

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