公开/公告号CN201210492Y
专利类型
公开/公告日2009-03-18
原文格式PDF
申请/专利权人 无锡固电半导体股份有限公司;
申请/专利号CN200820037516.3
申请日2008-06-06
分类号
代理机构无锡市大为专利商标事务所;
代理人曹祖良
地址 214028 江苏省无锡市新区新梅路68号
入库时间 2022-08-21 23:02:26
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-07-25
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L25/00 授权公告日:20090318 终止日期:20110606 申请日:20080606
专利权的终止
2009-03-18
授权
授权
机译: 隔离的高性能VDMOS晶体管和高压P型沟道MOS晶体管的结构均与CMOS,NPN和PNP晶体管以及二极管进行小泄漏集成
机译: 用于控制蝶型安全阀处于待机状态的电气控制装置,具有达林顿PNP和NPN型功率晶体管为电机供电,以及与电机并联安装的低阻值电阻器
机译: 基于垂直NPN结构的横向PNP型晶体管及其制造方法