法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-06-29
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):E04F15/00 授权公告日:20040609 终止日期:20100424 申请日:20020424
专利权的终止
2004-06-09
授权
授权
机译: 一种用埋入式浮栅形成浮栅存储器单元的半导体存储器阵列的自对准方法,并由此形成了一种存储器阵列
机译: 一种用于集成电路的一次性可编程存储器件,包括:形成在有源区和隔离层上的浮栅;形成在浮栅上的栅间电介质层;以及形成在栅间电介质层上的控制栅
机译: 用于闩锁电路的电可擦可编程只读存储单元,具有带凹槽的浮栅,其中浮栅的层厚度减小,中间电介质将浮栅封闭在边缘盖处