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公开/公告号CN2380579Y
专利类型
公开/公告日2000-05-31
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院力学研究所;
申请/专利号CN99211219.2
发明设计人 束继祖;郝沛明;陈吉祥;罗睿智;段俐;康琦;伍小平;缪泓;
申请日1999-05-25
分类号C30B7/00;
代理机构上海华东专利事务所;
代理人高存秀
地址 100080 北京市海淀区中关村路15号
入库时间 2022-08-21 22:40:29
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2006-07-19
专利权的终止未缴年费专利权终止
2000-05-31
授权
机译: 用于控制晶体生长过程的方法和用于自动控制晶体生长过程的设备
机译: 在生长过程中控制生长过程中硅晶体锭直径的方法和装置
机译: 实时显示双平面图像的方法和用于实时显示双平面的超声诊断设备
机译:气体引导装置在多晶硅晶体生长过程中氧杂质分布的数值研究
机译:通过中子成像对晶体生长过程进行原位诊断:应用于闪烁体
机译:氯酸钠晶体的光学诊断和模拟溶液生长过程
机译:通过电阻测量考虑Bazro_3的晶体生长过程的晶体生长过程
机译:活性纳米晶体:通过连续生长过程合成精确定义的金属氧化物纳米晶体
机译:通过中子成像对晶体生长过程进行原位 i>诊断:应用于闪烁体
机译:固态和气态电子学中各种过程的研究和评价第一部分:晶体生长过程和晶体生长设备的设计研究